图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 MJB(41,42)C |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 50 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 6A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 1.5V @ 600mA, 6A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 700µA |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 15 @ 3A, 4V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 频率转换 | 3MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3D2PAK |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 100 V |
| 集电极最大直流电流 | 6 A |
| 最小直流电流增益 | 30@0.3A@4V|15@3A@4V |
| 最大工作频率 | 3(Min) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.5@600mA@6A V |
| 工作温度 | -65 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 2000 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 6A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 3MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.5V @ 600mA, 6A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 700µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100V |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 封装 | Tube |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 封装/外壳 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 15 @ 3A, 4V |
| 其他名称 | MJB41CGOS |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.5 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 30 |
| 增益带宽产品fT | 3 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 100 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 6 A |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 6 A |
| 集电极 - 基极电压 | 100 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 100 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 频率 | 3 MHz |
| 功率耗散 | 2 W |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 包装类型 | D2PAK |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益（最小值） | 30 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 集电极电流（DC ） | 6 A |
| 直流电流增益 | 30 |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :100V |
| Transition Frequency ft | :3MHz |
| 功耗 | :65W |
| DC Collector Current | :30A |
| DC Current Gain hFE | :25 |
| No. of Pins | :3 |
| Weight (kg) | 0 |
| Tariff No. | 85412100 |
| associated | 80-4-5 |
MJB41CG也可以通过以下分类找到
MJB41CG相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家